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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數電荷載流子（電子）的勢壘。認 為肖特基勢壘像　ＺｎＯ　微結構中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側晶粒的耗盡 層的正電荷來補償的。熱電子發射和隧道效應是主要的傳 輸機制。 近發展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩電壓應力下，壓敏電阻的穩定性上取得了很大進展。

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氧化鋅壓敏電阻的功率損耗和阻性電流的增加：

在直流電壓作用下對氧化鋅壓敏電阻進行加速老化試驗，試驗結果表明，與交流電壓作用下壓敏電阻一樣，氧化鋅壓敏電阻的功率損耗和阻性電流在老化試驗過程中明顯增加

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